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High-Performance InSe Transistors with Ohmic Contact Enabled by Nonrectifying Barrier-Type Indium Electrodes.
Huang, Yu-Ting; Chen, Yi-Hsun; Ho, Yi-Ju; Huang, Shih-Wei; Chang, Yih-Ren; Watanabe, Kenji; Taniguchi, Takashi; Chiu, Hsiang-Chih; Liang, Chi-Te; Sankar, Raman; Chou, Fang-Cheng; Chen, Chun-Wei; Wang, Wei-Hua.
Afiliação
  • Huang YT; Institute of Atomic and Molecular Sciences , Academia Sinica , Taipei 106 , Taiwan.
  • Chen YH; Institute of Atomic and Molecular Sciences , Academia Sinica , Taipei 106 , Taiwan.
  • Ho YJ; Institute of Atomic and Molecular Sciences , Academia Sinica , Taipei 106 , Taiwan.
  • Huang SW; Institute of Atomic and Molecular Sciences , Academia Sinica , Taipei 106 , Taiwan.
  • Watanabe K; National Institute for Materials Science , 1-1 Namiki , Tsukuba , Ibaraki 305-0044 , Japan.
  • Taniguchi T; National Institute for Materials Science , 1-1 Namiki , Tsukuba , Ibaraki 305-0044 , Japan.
  • Chiu HC; Department of Physics , National Taiwan Normal University , Taipei 106 , Taiwan.
  • Wang WH; Institute of Atomic and Molecular Sciences , Academia Sinica , Taipei 106 , Taiwan.
ACS Appl Mater Interfaces ; 10(39): 33450-33456, 2018 Oct 03.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30191709
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Texto completo: 1 Bases de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Assunto da revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: Taiwan
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