Energy barriers at grain boundaries dominate charge carrier transport in an electron-conductive organic semiconductor.

Vladimirov, I; Kühn, M; Geßner, T; May, F; Weitz, R T

Vladimirov, I; Kühn, M; Geßner, T; May, F; Weitz, R T.

Afiliação

Vladimirov I; BASF SE, FET Systems, Carl-Bosch-Straße 38, 67056, Ludwigshafen, Germany.
Kühn M; InnovationLab GmbH, Speyerer Str. 4, 69115, Heidelberg, Germany.
Geßner T; BASF SE, FET Systems, Carl-Bosch-Straße 38, 67056, Ludwigshafen, Germany. michael.b.kuehn@basf.com.
May F; BASF SE, FET Systems, Carl-Bosch-Straße 38, 67056, Ludwigshafen, Germany.
Weitz RT; BASF SE, FET Systems, Carl-Bosch-Straße 38, 67056, Ludwigshafen, Germany.

Sci Rep ; 8(1): 14868, 2018 Oct 05.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30291288

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Texto completo: 1 Bases de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Sci Rep Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha

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