Analysis of Threshold Voltage Shift for Full VGS/VDS/Oxygen-Content Span under Positive Bias Stress in Bottom-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors.
Micromachines (Basel)
; 12(3)2021 Mar 19.
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em En
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Idioma:
En
Revista:
Micromachines (Basel)
Ano de publicação:
2021
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