Electron trapping at SiO<sub>2</sub>/4H-SiC interface probed by transient capacitance measurements and atomic resolution chemical analysis.

Electron trapping at SiO₂/4H-SiC interface probed by transient capacitance measurements and atomic resolution chemical analysis.

Fiorenza, Patrick; Iucolano, Ferdinando; Nicotra, Giuseppe; Bongiorno, Corrado; Deretzis, Ioannis; La Magna, Antonino; Giannazzo, Filippo; Saggio, Mario; Spinella, Corrado; Roccaforte, Fabrizio.

Afiliação

Fiorenza P; Consiglio Nazionale delle Ricerche-Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n.5 Zona Industriale, I-95121 Catania, Italy.

Nanotechnology ; 29(39): 395702, 2018 Sep 28.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29972377

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article

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