Origin of robust out-of-plane ferroelectricity in d1T-MoS<sub>2</sub> monolayer.

Origin of robust out-of-plane ferroelectricity in d1T-MoS₂ monolayer.

Choi, Ji-Hae; Jhi, Seung-Hoon.

Afiliação

Choi JH; Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea.

J Phys Condens Matter ; 32(4): 045702, 2020 Jan 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-31597126

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article

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