Theoretical calculation of band-edge discontinuities near a strained heterojunction: Application to (In,Ga)As/GaAs.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(14): 9870-9873, 1988 Nov 15.
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em En
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| ID: mdl-9945809
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Idioma:
En
Ano de publicação:
1988
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Article