Erbium emission in MOS light emitting devices: from energy transfer to direct impact excitation. | Nanotechnology;23(12): 125203, 2012 Mar 30. | MEDLINE

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Erbium emission in MOS light emitting devices: from energy transfer to direct impact excitation.

Ramíirez, J M; Ferrarese Lupi, F; Jambois, O; Berencén, Y; Navarro-Urrios, D; Anopchenko, A; Marconi, A; Prtljaga, N; Tengattini, A; Pavesi, L; Colonna, J P; Fedeli, J M; Garrido, B.

Afiliación

Ramíirez JM; Departament d'Electrònica, Universitat de Barcelona, Carrer Martí i Franquès 1, Barcelona 08028, Spain. jmramirez@el.ub.es

Nanotechnology ; 23(12): 125203, 2012 Mar 30.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22414783

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Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Año: 2012 Tipo del documento: Article

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