Enhanced electroluminescence from nanoscale silicon p+ -n junctions made with an anodic aluminum oxide pattern.

Hong, T; Chen, T; Ran, G Z; Wen, J; Li, Y Z; Dai, T; Qin, G G

Hong, T; Chen, T; Ran, G Z; Wen, J; Li, Y Z; Dai, T; Qin, G G.

Afiliación

Hong T; State Key Laboratory for Mesoscopic Physics and School of Physics, Peking University, Beijing, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 21(2): 025301, 2010 Jan 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-19955614

Asunto(s)

Óxido de Aluminio/química; Electroquímica/instrumentación; Iluminación/instrumentación; Microelectrodos; Nanoestructuras/química; Nanotecnología/instrumentación; Silicio/química; Cristalización/métodos; Electrodos; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo; Ensayo de Materiales; Conformación Molecular; Nanoestructuras/ultraestructura; Nanotecnología/métodos; Tamaño de la Partícula; Semiconductores; Propiedades de Superficie

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Texto completo: 1 Bases de datos: MEDLINE Asunto principal: Silicio / Iluminación / Nanotecnología / Nanoestructuras / Electroquímica / Óxido de Aluminio / Microelectrodos Tipo de estudio: Evaluation_studies Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2010 Tipo del documento: Article

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