A nanoporous AlN layer patterned by anodic aluminum oxide and its application as a buffer layer in a GaN-based light-emitting diode.

Chen, Lung-Chien; Wang, Chih-Kai; Huang, Jenn-Bin; Hong, Lu-Sheng

Chen, Lung-Chien; Wang, Chih-Kai; Huang, Jenn-Bin; Hong, Lu-Sheng.

Afiliação

Chen LC; Department of Electro-Optical Engineering, National Taipei University of Technology, 1, sector 3, Chung-Hsiao East Road, Taipei 106, Taiwan, Republic of China. ocean@ntut.edu.tw

Nanotechnology ; 20(8): 085303, 2009 Feb 25.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19417447

Assuntos

Compostos de Alumínio/química; Óxido de Alumínio/química; Cristalização/métodos; Gálio/química; Iluminação/instrumentação; Nanoestruturas/química; Nanotecnologia/métodos; Eletrodos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Substâncias Macromoleculares/química; Teste de Materiais; Conformação Molecular; Nanoestruturas/ultraestrutura; Tamanho da Partícula; Porosidade; Propriedades de Superfície

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Iluminação / Compostos de Alumínio / Cristalização / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Óxido de Alumínio / Gálio Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2009 Tipo de documento: Article País de afiliação: China

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