Mechanism and dynamics of the reaction of XeF2 with fluorinated Si(100): possible role of gas phase dissociation of a surface reaction product in plasmaless etching. | J Chem Phys;130(16): 164714, 2009 Apr 28. | MEDLINE

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Mechanism and dynamics of the reaction of XeF2 with fluorinated Si(100): possible role of gas phase dissociation of a surface reaction product in plasmaless etching.

Hefty, R C; Holt, J R; Tate, M R; Ceyer, S T.

Afiliación

Hefty RC; Department of Chemistry, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA.

J Chem Phys ; 130(16): 164714, 2009 Apr 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-19405623

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Texto completo: 1 Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Chem Phys Año: 2009 Tipo del documento: Article

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