Dislocation-free Ge Nano-crystals via Pattern Independent Selective Ge Heteroepitaxy on Si Nano-Tip Wafers.

Niu, Gang; Capellini, Giovanni; Schubert, Markus Andreas; Niermann, Tore; Zaumseil, Peter; Katzer, Jens; Krause, Hans-Michael; Skibitzki, Oliver; Lehmann, Michael; Xie, Ya-Hong; von Känel, Hans; Schroeder, Thomas.

Afiliación

Niu G; IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
Capellini G; Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education &International Center for Dielectric Research, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China.
Schubert MA; IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
Niermann T; Dipartimento di Scienze, Università Roma Tre, Viale Marconi 446, 00146 Rome, Italy.
Zaumseil P; IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
Katzer J; Technische Universität Berlin, Institut für Optik und Atomare Physik, Straße des 17. Juni 135, 10623 Berlin, Germany.
Krause HM; IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
Skibitzki O; IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
Lehmann M; IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
Xie YH; IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany.
von Känel H; Technische Universität Berlin, Institut für Optik und Atomare Physik, Straße des 17. Juni 135, 10623 Berlin, Germany.
Schroeder T; University of California at Los Angeles, Department of Materials Science and Engineering, Los Angeles, CA 90095-1595, United States.

Sci Rep ; 6: 22709, 2016 Mar 04.

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Texto completo: 1 Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Sci Rep Año: 2016 Tipo del documento: Article

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