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Analysis of Bi Distribution in Epitaxial GaAsBi by Aberration-Corrected HAADF-STEM.
Baladés, N; Sales, D L; Herrera, M; Tan, C H; Liu, Y; Richards, R D; Molina, S I.
Afiliación
  • Baladés N; Department of Material Science, Metallurgical Engineering and Inorganic Chemistry, University of Cádiz, Campus Río San Pedro, 11510, Puerto Real, Cádiz, Spain. nuria.balades@uca.es.
  • Sales DL; Instituto Universitario de Investigación en Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT). Facultad de Ciencias. Universidad de Cádiz, Campus Río San Pedro s/n. 11510 Puerto Real, Cádiz, Spain. nuria.balades@uca.es.
  • Herrera M; Department of Material Science, Metallurgical Engineering and Inorganic Chemistry, University of Cádiz, Campus Río San Pedro, 11510, Puerto Real, Cádiz, Spain.
  • Tan CH; Instituto Universitario de Investigación en Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT). Facultad de Ciencias. Universidad de Cádiz, Campus Río San Pedro s/n. 11510 Puerto Real, Cádiz, Spain.
  • Liu Y; Department of Material Science, Metallurgical Engineering and Inorganic Chemistry, University of Cádiz, Campus Río San Pedro, 11510, Puerto Real, Cádiz, Spain.
  • Richards RD; Instituto Universitario de Investigación en Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT). Facultad de Ciencias. Universidad de Cádiz, Campus Río San Pedro s/n. 11510 Puerto Real, Cádiz, Spain.
  • Molina SI; Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, S3 7HQ, Sheffield, UK.
Nanoscale Res Lett ; 13(1): 125, 2018 Apr 25.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-29696397
Palabras clave

Texto completo: 1 Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2018 Tipo del documento: Article

Texto completo: 1 Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2018 Tipo del documento: Article