High-hole-mobility field-effect transistors based on co-benzobisthiadiazole-quaterthiophene. | Adv Mater;24(46): 6164-8, 2012 Dec 04. | MEDLINE

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High-hole-mobility field-effect transistors based on co-benzobisthiadiazole-quaterthiophene.

Fan, Jian; Yuen, Jonathan D; Cui, Weibin; Seifter, Jason; Mohebbi, Ali Reza; Wang, Mingfeng; Zhou, Huiqiong; Heeger, Alan; Wudl, Fred.

Afiliación

Fan J; Center for Energy Efficient Materials, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA.

Adv Mater ; 24(46): 6164-8, 2012 Dec 04.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22961863

Asunto(s)

Tiadiazoles/química; Tiofenos/química; Transistores Electrónicos; Microscopía de Fuerza Atómica; Polímeros/síntesis química; Polímeros/química; Espectrofotometría

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Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Tiadiazoles / Tiofenos / Transistores Electrónicos Idioma: En Revista: Adv Mater Asunto de la revista: BIOFISICA / QUIMICA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

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