Optoelectronic gate dielectrics for high brightness and high-efficiency light-emitting transistors. | Adv Mater;23(20): 2353-6, 2011 May 24. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

BVS Odontologia

Informação e Conhecimento para a Saúde

Localizar descritor de assunto Busca Avançada

Optoelectronic gate dielectrics for high brightness and high-efficiency light-emitting transistors.

Namdas, Ebinazar B; Hsu, Ben B Y; Yuen, Jonathan D; Samuel, Ifor D W; Heeger, Alan J.

Afiliação

Namdas EB; Center for Polymers and Organic Solids, University of California-Santa Barbara, CA 93106, USA. ebnamdas@ipos.ucsb.edu

Adv Mater ; 23(20): 2353-6, 2011 May 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21520299

Assuntos

Transistores Eletrônicos; Polímeros/química; Compostos de Silício/química; Dióxido de Silício/química

Buscar no Google

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Transistores Eletrônicos Idioma: En Revista: Adv Mater Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

Buscar no Google

Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Transistores Eletrônicos Idioma: En Revista: Adv Mater Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos