UV light emission from GZO/ZnO/GaN heterojunction diodes with carrier confinement layers. | Opt Express;17(25): 22912-7, 2009 Dec 07. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Biblioteca Virtual en Salud Odontología. Uruguay

Información y Conocimiento para la Salud

español

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada

UV light emission from GZO/ZnO/GaN heterojunction diodes with carrier confinement layers.

Ke, Min-Yung; Lu, Tzu-Chun; Yang, Sheng-Chieh; Chen, Cheng-Pin; Cheng, Yun-Wei; Chen, Liang-Yi; Chen, Cheng-Ying; He, Jr-Hau; Huang, JianJang.

Afiliación

Ke MY; Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, 1, Roosevelt Road, Sec. 4,Taipei,106 Taiwan.

Opt Express ; 17(25): 22912-7, 2009 Dec 07.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-20052218

Asunto(s)

Iluminación/instrumentación; Semiconductores; Diseño Asistido por Computadora; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo; Rayos Ultravioleta

Buscar en Google

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Semiconductores / Iluminación Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2009 Tipo del documento: Article

Buscar en Google

Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Semiconductores / Iluminación Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2009 Tipo del documento: Article