High-performance bottom-gate poly-Si polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon thin film transistors crystallized by excimer laser irradiation for two-bit nonvolatile memory applications. | J Nanosci Nanotechnol;12(7): 5318-24, 2012 Jul. | MEDLINE

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High-performance bottom-gate poly-Si polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon thin film transistors crystallized by excimer laser irradiation for two-bit nonvolatile memory applications.

Lee, I-Che; Kuo, Hsu-Hang; Tsai, Chun-Chien; Wang, Chao-Lung; Yang, Po-Yu; Wang, Jyh-Liang; Cheng, Huang-Chung.

Afiliación

Lee IC; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(7): 5318-24, 2012 Jul.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22966564

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Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán

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