Domain wall geometry controls conduction in ferroelectrics.

Vasudevan, R K; Morozovska, A N; Eliseev, E A; Britson, J; Yang, J-C; Chu, Y-H; Maksymovych, P; Chen, L Q; Nagarajan, V; Kalinin, S V

Vasudevan, R K; Morozovska, A N; Eliseev, E A; Britson, J; Yang, J-C; Chu, Y-H; Maksymovych, P; Chen, L Q; Nagarajan, V; Kalinin, S V.

Afiliación

Vasudevan RK; School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Kensington 2052, Australia.

Nano Lett ; 12(11): 5524-31, 2012 Nov 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22994244

Asunto(s)

Conductividad Eléctrica; Anisotropía; Elasticidad; Electricidad; Electrónica; Iones; Cinética; Microscopía de Fuerza Atómica/métodos; Microscopía de Sonda de Barrido/métodos; Modelos Estadísticos; Óxidos/química; Oxígeno/química; Semiconductores; Termodinámica

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Texto completo: 1 Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Conductividad Eléctrica Tipo de estudio: Risk_factors_studies Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Australia

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