Charge-Gradient-Induced Ferroelectricity with Robust Polarization Reversal.

Xu, Shipu; Xu, Xing; Xu, Shidang

Xu, Shipu; Xu, Xing; Xu, Shidang.

Afiliación

Xu S; Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan523808, China.
Xu X; Songshan Lake Materials Laboratory, Dongguan523808, China.
Xu S; Department of Chemical and Biomolecular Engineering, National University of Singapore, Singapore117585, Singapore.

Nano Lett ; 23(1): 298-304, 2023 Jan 11.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-36541896

Palabras clave

Ferroelectric tunnel junction; asymmetric junction barrier; electroresistance; extrinsic ferroelectricity

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