Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge. | J Phys Condens Matter;22(21): 216006, 2010 Jun 02. | MEDLINE

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Localization of the dopant in Ge:Mn diluted magnetic semiconductors by x-ray absorption at the Mn K edge.

Gunnella, R; Morresi, L; Pinto, N; Di Cicco, A; Ottaviano, L; Passacantando, M; Verna, A; Impellizzeri, G; Irrera, A; d'Acapito, F.

Afiliación

Gunnella R; CNISM-Dipartimento di Fisica, Università di Camerino, Via Madonna delle Carceri, I-62032 Camerino (MC), Italy.

J Phys Condens Matter ; 22(21): 216006, 2010 Jun 02.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-21393732

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Phys Condens Matter Asunto de la revista: BIOFISICA Año: 2010 Tipo del documento: Article País de afiliación: Italia

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