Role of hydrogen in volatile behaviour of defects in SiO2-based electronic devices.
Proc Math Phys Eng Sci
; 472(2190): 20160009, 2016 Jun.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-27436969
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Banco de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Proc Math Phys Eng Sci
Año:
2016
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Austria