Highly stable, solution-processed quaternary oxide thin film-based resistive switching random access memory devices via global and local stoichiometric manipulation strategy.
Nanotechnology
; 31(24): 245202, 2020 Mar 27.
Article
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| MEDLINE
| ID: mdl-32155592
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Banco de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Clinical_trials
Idioma:
En
Revista:
Nanotechnology
Año:
2020
Tipo del documento:
Article