Highly stable, solution-processed quaternary oxide thin film-based resistive switching random access memory devices via global and local stoichiometric manipulation strategy.

Lee, Dongyun; Chun, Min Chul; Ko, Hyungduk; Kang, Bo Soo; Kim, Jaekyun

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Highly stable, solution-processed quaternary oxide thin film-based resistive switching random access memory devices via global and local stoichiometric manipulation strategy.

Lee, Dongyun; Chun, Min Chul; Ko, Hyungduk; Kang, Bo Soo; Kim, Jaekyun.

Afiliación

Lee D; Department of Photonics and Nanoelectronics, Hanyang University, Ansan 15588, Republic of Korea.

Nanotechnology ; 31(24): 245202, 2020 Mar 27.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32155592

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Clinical_trials Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2020 Tipo del documento: Article

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