Photoelectric performance of InSe vdW semi-floating gate p-n junction transistor.
Nanotechnology
; 34(50)2023 Oct 04.
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| ID: mdl-37683623
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanotechnology
Año:
2023
Tipo del documento:
Article