GaN, ZnO and InN nanowires and devices. | J Nanosci Nanotechnol;8(1): 99-110, 2008 Jan. | MEDLINE

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GaN, ZnO and InN nanowires and devices.

Pearton, S J; Kang, B S; Gila, B P; Norton, D P; Kryliouk, O; Ren, F; Heo, Young-Woo; Chang, Chih-Yang; Chi, Gou-Chung; Wang, Wei-Ming; Chen, Li-Chyong.

Afiliación

Pearton SJ; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, USA.

J Nanosci Nanotechnol ; 8(1): 99-110, 2008 Jan.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-18468056

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Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2008 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

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