Electrical and hydrogen-sensing characteristics of field effect transistors based on nanorods of ZnO and WO2.72. | J Nanosci Nanotechnol;9(9): 5652-8, 2009 Sep. | MEDLINE

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Electrical and hydrogen-sensing characteristics of field effect transistors based on nanorods of ZnO and WO2.72.

Rout, Chandra Sekhar; Kulkarni, G U; Rao, C N R.

Afiliación

Rout CS; Chemistry and Physics of Materials Unit, DST Unit on Nanoscience and CSIR Centre of Excellence in Chemistry, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur P.O., Bangalore 560064, India.

J Nanosci Nanotechnol ; 9(9): 5652-8, 2009 Sep.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-19928282

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Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2009 Tipo del documento: Article País de afiliación: India

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