Current saturation and voltage gain in bilayer graphene field effect transistors.

Szafranek, B N; Fiori, G; Schall, D; Neumaier, D; Kurz, H

Szafranek, B N; Fiori, G; Schall, D; Neumaier, D; Kurz, H.

Afiliación

Szafranek BN; Advanced Microelectronic Center Aachen (AMICA), AMO GmbH, Otto-Blumenthal-Strasse 25, 52074 Aachen, Germany. szafranek@amo.de

Nano Lett ; 12(3): 1324-8, 2012 Mar 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22339809

Asunto(s)

Amplificadores Electrónicos; Grafito/química; Membranas Artificiales; Nanoestructuras/química; Nanoestructuras/ultraestructura; Transistores Electrónicos; Conductividad Eléctrica; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo; Sustancias Macromoleculares/química; Ensayo de Materiales; Conformación Molecular; Tamaño de la Partícula; Propiedades de Superficie

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Texto completo: 1 Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Transistores Electrónicos / Nanoestructuras / Grafito / Amplificadores Electrónicos / Membranas Artificiales Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania

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