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Cryogenic GaAs high-electron-mobility-transistor amplifier for current noise measurements.
Lee, Sanghyun; Hashisaka, Masayuki; Akiho, Takafumi; Kobayashi, Kensuke; Muraki, Koji.
Afiliación
  • Lee S; NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan.
  • Hashisaka M; NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan.
  • Akiho T; NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan.
  • Kobayashi K; Graduate School of Science, Osaka University, 1-1, Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan.
  • Muraki K; NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan.
Rev Sci Instrum ; 92(2): 023910, 2021 Feb 01.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-33648138
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Texto completo: 1 Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Rev Sci Instrum Año: 2021 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón
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