Asymmetric bandgaps and Landau levels in a Bernal-stacked hexagonal boron-nitride bilayer. | J Phys Condens Matter;26(1): 015304, 2014 Jan 08. | MEDLINE

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Asymmetric bandgaps and Landau levels in a Bernal-stacked hexagonal boron-nitride bilayer.

Zhai, Xuechao; Jin, Guojun.

Afiliação

Zhai X; National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, People's Republic of China.

J Phys Condens Matter ; 26(1): 015304, 2014 Jan 08.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24275264

Assuntos

Compostos de Boro/química; Elétrons; Nanoestruturas/química; Teoria Quântica; Campos Magnéticos; Transição de Fase; Semicondutores; Propriedades de Superfície

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Texto completo: 1 Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Teoria Quântica / Compostos de Boro / Nanoestruturas / Elétrons Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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