A cryogenic spin-torque memory element with precessional magnetization dynamics.

Rowlands, G E; Ryan, C A; Ye, L; Rehm, L; Pinna, D; Kent, A D; Ohki, T A

Rowlands, G E; Ryan, C A; Ye, L; Rehm, L; Pinna, D; Kent, A D; Ohki, T A.

Afiliação

Rowlands GE; Raytheon BBN Technologies, Cambridge, MA, 02138, USA. graham.rowlands@raytheon.com.
Ryan CA; Raytheon BBN Technologies, Cambridge, MA, 02138, USA.
Ye L; Center for Quantum Phenomena, Department of Physics, New York University, New York, NY, 10003, USA.
Rehm L; Center for Quantum Phenomena, Department of Physics, New York University, New York, NY, 10003, USA.
Pinna D; Center for Quantum Phenomena, Department of Physics, New York University, New York, NY, 10003, USA.
Kent AD; Center for Quantum Phenomena, Department of Physics, New York University, New York, NY, 10003, USA. andy.kent@nyu.edu.
Ohki TA; Raytheon BBN Technologies, Cambridge, MA, 02138, USA.

Sci Rep ; 9(1): 803, 2019 Jan 28.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30692580

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