Influence of dielectric layer thickness on charge injection, accumulation and transport phenomena in thin silicon oxynitride layers: a nanoscale study.

Mortreuil, F; Boudou, L; Makasheva, K; Teyssedre, G; Villeneuve-Faure, C

Mortreuil, F; Boudou, L; Makasheva, K; Teyssedre, G; Villeneuve-Faure, C.

Afiliação

Mortreuil F; LAPLACE (Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie), Université de Toulouse; CNRS UPS, INPT; 118 route de Narbonne, F-31062 Toulouse cedex 9, France.
Boudou L; LAPLACE (Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie), Université de Toulouse; CNRS UPS, INPT; 118 route de Narbonne, F-31062 Toulouse cedex 9, France.
Makasheva K; LAPLACE (Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie), Université de Toulouse; CNRS UPS, INPT; 118 route de Narbonne, F-31062 Toulouse cedex 9, France.
Teyssedre G; LAPLACE (Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie), Université de Toulouse; CNRS UPS, INPT; 118 route de Narbonne, F-31062 Toulouse cedex 9, France.
Villeneuve-Faure C; LAPLACE (Laboratoire Plasma et Conversion d'Energie), Université de Toulouse; CNRS UPS, INPT; 118 route de Narbonne, F-31062 Toulouse cedex 9, France.

Nanotechnology ; 32(6): 065706, 2021 Feb 05.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-33086199

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