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1.
Photoemission measurement of the potential step created at InAs/GaAs junctions by interfacial silicon.
Moison JM; Houzay F; Leprince L.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(12): 7923-7926, 1992 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10002539
2.
Epitaxial regrowth of an InAs surface on InP: An example of artificial surfaces.
Moison JM; Bensoussan M; Houzay F.
Phys Rev B Condens Matter ; 34(3): 2018-2021, 1986 Aug 01.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9939876
3.
Reconstruction, step ordering, and frustration on vicinal GaAs surfaces.
Leprince L; Houzay F; Moison JM.
Phys Rev B Condens Matter ; 48(19): 14683-14686, 1993 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10007898
4.
Surface segregation of third-column atoms in group III-V arsenide compounds: Ternary alloys and heterostructures.
Moison JM; Guille C; Houzay F; Barthe F; Van Rompay M.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(9): 6149-6162, 1989 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9992684
5.
Near-surface GaAs/Ga0.7Al0.3As quantum wells: Interaction with the surface states.
Moison JM; Elcess K; Houzay F; Marzin JY; Gérard JM; Barthe F; Bensoussan M.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(18): 12945-12948, 1990 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9993779
6.
Buildup of III-V-compound semiconductor heterojunctions: Structural and electronic properties of monolayer-thick III-V overlayers on III-V substrates.
Moison JM; Guille C; Van Rompay M; Barthe F; Houzay F; Bensoussan M.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(3): 1772-1785, 1989 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9948394
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