Femtosecond gain dynamics due to initial thermalization of hot carriers injected at 2 eV in GaAs.
Phys Rev B Condens Matter
; 44(12): 6542-6545, 1991 Sep 15.
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| ID: mdl-9998524
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Colección:
01-internacional
Banco de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Año:
1991
Tipo del documento:
Article