The structural properties of GaN insertions in GaN/AlN nanocolumn heterostructures.

Bougerol, C; Songmuang, R; Camacho, D; Niquet, Y M; Mata, R; Cros, A; Daudin, B

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The structural properties of GaN insertions in GaN/AlN nanocolumn heterostructures.

Bougerol, C; Songmuang, R; Camacho, D; Niquet, Y M; Mata, R; Cros, A; Daudin, B.

Afiliação

Bougerol C; CEA-CNRS group 'Nanophysique et Semiconducteurs', Institut Néel/CNRS-Université J Fourier and CEA Grenoble, INAC, SP2M, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France.

Nanotechnology ; 20(29): 295706, 2009 Jul 22.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19567953

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2009 Tipo de documento: Article País de afiliação: França

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