Single-donor ionization energies in a nanoscale CMOS channel.

Pierre, M; Wacquez, R; Jehl, X; Sanquer, M; Vinet, M; Cueto, O

Pierre, M; Wacquez, R; Jehl, X; Sanquer, M; Vinet, M; Cueto, O.

Afiliação

Pierre M; INAC-SPSMS, CEA-Grenoble, 17 rue des martyrs, F-38054 Grenoble, France.

Nat Nanotechnol ; 5(2): 133-7, 2010 Feb.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19966793

Assuntos

Eletroquímica/métodos; Nanoestruturas/química; Nanotecnologia/métodos; Simulação por Computador; Cristalização; Eletroquímica/instrumentação; Eletrônica/instrumentação; Tamanho da Partícula; Silício/química; Propriedades de Superfície; Temperatura; Termodinâmica; Transistores Eletrônicos

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Nanotecnologia / Nanoestruturas / Eletroquímica Idioma: En Revista: Nat Nanotechnol Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article País de afiliação: França

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