Scanning photoemission spectromicroscopic study of 4-nm ultrathin SiO(3.4) protrusions probe-induced on the native SiO(2) layer.

Devan, Rupesh S; Gao, Shun-Yu; Lin, Yu-Rong; Cheng, Shun-Rong; Hsu, Chia-Er; Chen, Chia-Hao; Shiu, Hung-Wei; Liou, Yung; Ma, Yuan-Ron

Devan, Rupesh S; Gao, Shun-Yu; Lin, Yu-Rong; Cheng, Shun-Rong; Hsu, Chia-Er; Chen, Chia-Hao; Shiu, Hung-Wei; Liou, Yung; Ma, Yuan-Ron.

Afiliação

Devan RS; Department of Physics, National Dong Hwa University, Hualien 97401, Taiwan, Republic of China.

Microsc Microanal ; 17(6): 944-9, 2011 Dec.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22008643

Assuntos

Técnicas Eletroquímicas/métodos; Microscopia de Força Atômica/métodos; Nanotecnologia; Semicondutores; Dióxido de Silício/química; Teste de Materiais; Microscopia de Força Atômica/instrumentação; Oxirredução; Espectroscopia Fotoeletrônica; Propriedades de Superfície; Temperatura

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Dióxido de Silício / Microscopia de Força Atômica / Nanotecnologia / Técnicas Eletroquímicas Idioma: En Revista: Microsc Microanal Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de afiliação: China

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