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The role of external defects in chemical sensing of graphene field-effect transistors.
Kumar, B; Min, K; Bashirzadeh, M; Farimani, A Barati; Bae, M-H; Estrada, D; Kim, Y D; Yasaei, P; Park, Y D; Pop, E; Aluru, N R; Salehi-Khojin, A.
Afiliação
  • Kumar B; Department of Mechanical and Industrial Engineering, University of Illinois at Chicago, Chicago, Illinois 60607, USA.
Nano Lett ; 13(5): 1962-8, 2013 May 08.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23586702

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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