Analysis of the stability of InGaN/GaN multiquantum wells against ion beam intermixing. | Nanotechnology;26(42): 425703, 2015 Oct 23. | MEDLINE

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Analysis of the stability of InGaN/GaN multiquantum wells against ion beam intermixing.

Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Wendler, E; Magalhães, S; Alves, E; Carvalho, D; Ben, T; Morales, F M; García, R; O'Donnell, K P; Wetzel, C.

Afiliação

Redondo-Cubero A; Instituto Superior Técnico, Universidade de Lisboa, Campus Tecnológico e Nuclear, Estrada Nacional 10, 2695-066 Bobadela LRS, Portugal. Departamento de Física Aplicada y Centro de Microanálisis of Materiales, Universidad Autónoma de Madrid, E-28049 Madrid, Spain.

Nanotechnology ; 26(42): 425703, 2015 Oct 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26421745

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article País de afiliação: Espanha

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