Comparative studies on vertical-channel charge-trap memory thin-film transistors using In-Ga-Zn-O active channels deposited by sputtering and atomic layer depositions.
Nanotechnology
; 31(43): 435702, 2020 Oct 23.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-32647094
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanotechnology
Ano de publicação:
2020
Tipo de documento:
Article