Understanding of multiple resistance states by current sweeping in MoS<sub>2</sub>-based non-volatile memory devices. | Nanotechnology;31(46): 465206, 2020 Nov 13. | MEDLINE

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BVS CLAP/SMR-OPAS/OMS

Centro Latino Americano de Perinatologia, Saúde da Mulher e Reprodutiva

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Understanding of multiple resistance states by current sweeping in MoS₂-based non-volatile memory devices.

Wu, Xiaohan; Ge, Ruijing; Akinwande, Deji; Lee, Jack C.

Afiliação

Wu X; Microelectronics Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, United States of America.

Nanotechnology ; 31(46): 465206, 2020 Nov 13.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-32647100

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos

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