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Nano Lett ; 7(9): 2645-9, 2007 Sep.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-17718584

RESUMEN

We investigated the temperature dependence of the frequency of G peak in the Raman spectra of graphene on Si/SiO2 substrates. The micro-Raman spectroscopy was carried out under the 488 nm laser excitation over the temperature range from -190 to +100 degrees C. The extracted value of the temperature coefficient of G mode of graphene is chi = -0.016 cm-1/ degrees C for the single layer and chi = -0.015 cm-1/ degrees C for the bilayer. The obtained results shed light on the anharmonic properties of graphene.


Asunto(s)
Carbono/química , Cristalización/métodos , Nanoestructuras/química , Nanoestructuras/ultraestructura , Nanotecnología/métodos , Espectrometría Raman/métodos , Sustancias Macromoleculares/química , Ensayo de Materiales , Conformación Molecular , Tamaño de la Partícula , Propiedades de Superficie , Temperatura
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