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Adv Mater ; 24(21): 2929-34, 2012 Jun 05.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-22528823

RESUMO

Two-terminal multistate memory elements based on VO(2)/TiO(2) thin film microcantilevers are reported. Volatile and non-volatile multiple resistance states are programmed by current pulses at temperatures within the hysteretic region of the metal-insulator transition of VO(2). The memory mechanism is based on current-induced creation of metallic clusters by self-heating of micrometric suspended regions and resistive reading via percolation.


Assuntos
Semicondutores , Titânio/química , Compostos de Vanádio/química , Condutividade Elétrica , Temperatura
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