Effect of thin silicon dioxide layers on resonant frequency in infrared metamaterials.

Shelton, D J; Peters, D W; Sinclair, M B; Brener, I; Warne, L K; Basilio, L I; Coffey, K R; Boreman, G D

Shelton, D J; Peters, D W; Sinclair, M B; Brener, I; Warne, L K; Basilio, L I; Coffey, K R; Boreman, G D.

Afiliación

Shelton DJ; CREOL, University of Central Florida, Orlando, FL 32816-2700, USA. dshelton@creol.ucf.edu

Opt Express ; 18(2): 1085-90, 2010 Jan 18.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-20173930

Asunto(s)

Materiales Manufacturados; Membranas Artificiales; Semiconductores; Dióxido de Silicio/química; Impedancia Eléctrica; Rayos Infrarrojos; Dispersión de Radiación

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Semiconductores / Dióxido de Silicio / Materiales Manufacturados / Membranas Artificiales Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2010 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Estados Unidos

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