Control of the carrier type in InAs nanocrystal films by predeposition incorporation of Cd.

Geyer, Scott M; Allen, Peter M; Chang, Liang-Yi; Wong, Cliff R; Osedach, Tim P; Zhao, Ni; Bulovic, Vladimir; Bawendi, Moungi G

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Control of the carrier type in InAs nanocrystal films by predeposition incorporation of Cd.

Geyer, Scott M; Allen, Peter M; Chang, Liang-Yi; Wong, Cliff R; Osedach, Tim P; Zhao, Ni; Bulovic, Vladimir; Bawendi, Moungi G.

Afiliación

Geyer SM; Department of Chemistry, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, Massachusetts 02139, USA.

ACS Nano ; 4(12): 7373-8, 2010 Dec 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-21126000

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Nano Año: 2010 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos