Effects of interfacial layer on characteristics of TiN/ZrO2 structures.

Kim, Younsoo; Kang, Sang Yeol; Choi, Jae Hyoung; Lim, Jae Soon; Park, Min Young; Chung, Suk-Jin; Chung, Jaegwan; Lee, Hyung Ik; Kim, Ki Hong; Kyoung, Yong Koo; Heo, Sung; Yoo, Cha Young; Kang, Ho-Kyu

Kim, Younsoo; Kang, Sang Yeol; Choi, Jae Hyoung; Lim, Jae Soon; Park, Min Young; Chung, Suk-Jin; Chung, Jaegwan; Lee, Hyung Ik; Kim, Ki Hong; Kyoung, Yong Koo; Heo, Sung; Yoo, Cha Young; Kang, Ho-Kyu.

Afiliación

Kim Y; Process Development Team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Ltd., San #16 Banwol-Dong, Hwaseong-City, Gyeonggi-Do, 445-701, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 11(9): 8309-12, 2011 Sep.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22097574

Buscar en Google

Añadir a Mi BVS

Imprimir

XML

PubMed Links

Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2011 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

Buscar en Google

Añadir a Mi BVS

Imprimir

XML

PubMed Links

Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2011 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos