Effect of lightly doped drain structure on P-channel metal induced lateral crystallization thin film transistors. | J Nanosci Nanotechnol;12(4): 3195-9, 2012 Apr. | MEDLINE

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Effect of lightly doped drain structure on P-channel metal induced lateral crystallization thin film transistors.

Son, Se Wan; Byun, Chang-Woo; Lee, Sang-Joo; Yoon, Seung-Jae; Joo, Seung-Ki.

Afiliación

Son SW; Research Institute of Advanced Materials, College of Engineering, Seoul National University, Gwanak-Gu, Seoul 151-742, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(4): 3195-9, 2012 Apr.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22849087

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2012 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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