Nanoscale investigation of AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors. | Nanotechnology;23(39): 395204, 2012 Oct 05. | MEDLINE

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Nanoscale investigation of AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors.

Fontserè, A; Pérez-Tomás, A; Placidi, M; Llobet, J; Baron, N; Chenot, S; Cordier, Y; Moreno, J C; Jennings, M R; Gammon, P M; Fisher, C A; Iglesias, V; Porti, M; Bayerl, A; Lanza, M; Nafría, M.

Afiliación

Fontserè A; IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain. abel.fontsere@imb-cnm.csic.es

Nanotechnology ; 23(39): 395204, 2012 Oct 05.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22971927

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: España

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