Pinch-off mechanism in double-lateral-gate junctionless transistors fabricated by scanning probe microscope based lithography. | Beilstein J Nanotechnol;3: 817-23, 2012. | MEDLINE

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Pinch-off mechanism in double-lateral-gate junctionless transistors fabricated by scanning probe microscope based lithography.

Larki, Farhad; Dehzangi, Arash; Abedini, Alam; Abdullah, Ahmad Makarimi; Saion, Elias; Hutagalung, Sabar D; Hamidon, Mohd N; Hassan, Jumiah.

Afiliación

Larki F; Department of Physics, Universiti Putra Malaysia, 43400 Serdang, Selangor, Malaysia.

Beilstein J Nanotechnol ; 3: 817-23, 2012.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23365794

Palabras clave

AFM nanolithography; junctionless transistors; pinch-off; scanning probe microscope; simulation

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Beilstein J Nanotechnol Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Malasia Pais de publicación: Alemania

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