Suppressing leakage by localized doping in Si nanotransistor channels.
Phys Rev Lett
; 109(26): 266803, 2012 Dec 28.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-23368599
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Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Phys Rev Lett
Año:
2012
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Canadá
Pais de publicación:
Estados Unidos