Low loss 40 Gbit/s silicon modulator based on interleaved junctions and fabricated on 300 mm SOI wafers.

Marris-Morini, D; Baudot, C; Fédéli, J-M; Rasigade, G; Vulliet, N; Souhaité, A; Ziebell, M; Rivallin, P; Olivier, S; Crozat, P; Le Roux, X; Bouville, D; Menezo, S; BÅuf, F; Vivien, L

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Low loss 40 Gbit/s silicon modulator based on interleaved junctions and fabricated on 300 mm SOI wafers.

Marris-Morini, D; Baudot, C; Fédéli, J-M; Rasigade, G; Vulliet, N; Souhaité, A; Ziebell, M; Rivallin, P; Olivier, S; Crozat, P; Le Roux, X; Bouville, D; Menezo, S; BÅuf, F; Vivien, L.

Opt Express ; 21(19): 22471-5, 2013 Sep 23.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24104136

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2013 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos