Continuous growth of hexagonal graphene and boron nitride in-plane heterostructures by atmospheric pressure chemical vapor deposition. | ACS Nano;7(11): 10129-38, 2013 Nov 26. | MEDLINE

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Continuous growth of hexagonal graphene and boron nitride in-plane heterostructures by atmospheric pressure chemical vapor deposition.

Han, Gang Hee; Rodríguez-Manzo, Julio A; Lee, Chan-Woo; Kybert, Nicholas J; Lerner, Mitchell B; Qi, Zhengqing John; Dattoli, Eric N; Rappe, Andrew M; Drndic, Marija; Johnson, A T Charlie.

Afiliación

Han GH; Department of Physics and Astronomy, and The Makineni Theoretical Laboratories, Department of Chemistry, University of Pennsylvania , Philadelphia, Pennsylvania 19104, United States.

ACS Nano ; 7(11): 10129-38, 2013 Nov 26.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24182310

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Nano Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Estados Unidos

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