Thickness and post-annealing effects of the sputtered La-capping layer inserted between the TiN gate and Hf-based dielectrics. | ACS Appl Mater Interfaces;6(7): 5199-205, 2014 Apr 09. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Thickness and post-annealing effects of the sputtered La-capping layer inserted between the TiN gate and Hf-based dielectrics.

Kim, Woo-Hee; Lee, Nae-In; Lee, Jong-Ho; Kim, Kug-Hwan.

Afiliación

Kim WH; Process Development Team, System LSI Division, Samsung Electronics , San #24 Nongseo-dong, Giheung-gu, Yongin, Gyeonggi-do 446-711, Korea.

ACS Appl Mater Interfaces ; 6(7): 5199-205, 2014 Apr 09.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24641256

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2014 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2014 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos